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SK海力士高盛电话会:所有客户需求都无法满足,今年存储价格持续上涨
在AI需求爆发与供应瓶颈的共振下,存储芯片正全面进入“卖方市场”,海力士明确表示今年所有客户的需求都无法得到完全满足,价格上涨已成定局。
在2月20日举行的虚拟投资者会议上,SK海力士向高盛透露了存储市场的最新动态。
全行业缺货:重复下单无用,只会推高价格
海力士对今年的价格走势给出了非常明确的指引:受AI客户强劲需求和供应增长有限的推动,存储价格预计将在全年持续上涨。
这背后的核心逻辑在于供给端的刚性约束。海力士指出,全行业受限于洁净室(Clean room)空间的不足,供应增长受到物理限制。对于市场担忧的“重复下单”(Double-booking)风险,海力士的看法直击要害:
尽管PC和移动端客户可能会通过“降低配置”(Despeccing)来应对,但在受限的供应增长面前,这一因素被完全抵消。AI客户随着服务取得实质性进展,正在维持巨大的投资规模,这种“真实需求”成为了价格上涨最坚实的支撑。
库存降至“极低水位”,话语权向卖方转移
目前的供需紧张程度已经达到了近年来的高点。海力士在会议中透露了一个关键事实:
这意味着所有终端市场的需求满足率都处于低位。从库存角度看,服务器客户的库存已达到健康水平,而PC和移动客户的库存正呈现下降趋势。
更为关键的是作为供应端的海力士,其自身库存已极其单薄。
极低的库存水位意味着供应商的议价能力(Leverage)持续增强。在此背景下,海力士透露,“正在与主要客户讨论多年期的长期合约”。虽然公司态度谨慎,但这标志着市场结构已从现货博弈转向对长期供应稳定性的争夺。
HBM产能售罄,标准型DRAM短缺成新筹码
对于市场最关注的HBM(高带宽内存),海力士明确表示,2026年的产能分配已成定局。
海力士坦言,鉴于目前的生产计划,很难在2026年对HBM和标准型DRAM的产线进行有意义的调整。然而,这种僵局反而为未来带来了利好。由于标准型DRAM目前的供需极度紧张(Tight S/D),这为海力士在谈判桌上赢得了更多筹码。公司认为,这种紧张局势**“可能会为2027年的HBM业务带来更优惠的条款”。**
在制程迁移方面,海力士今年的重心明确:M15X工厂将主要致力于提升1b nm产能以支持HBM3E和HBM4。而更先进的1c nm制程,今年将主要用于标准型DRAM的大规模迁移,预计年底前1c nm将占据标准型DRAM一半以上的产能,而HBM对1c nm的大规模采用(主要用于HBM4E)将从2027年开始。
资本开支:严守纪律,聚焦高回报
尽管面临巨大的需求缺口,海力士在资本开支(Capex)上依然保持清醒。
公司确认今年的资本开支将超过去年,但强调将“继续坚持资本开支纪律”。投资的优先级非常清晰:核心聚焦于HBM和标准型DRAM。对于NAND业务,虽然恢复了部分投资(主要是向321层3D NAND迁移),但其在总资本开支中的占比将保持稳定(预计维持在低双位数百分比),不会盲目扩张。
海力士高盛电话会全文翻译如下:
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