日本Rapidus 成功试作 2 奈米 GAA 晶片!北海道千岁「灵魂之作」迈向量产

日本半导体新创 Rapidus 于 2025 年 7 月 18 日宣布,已在北海道千岁市的最先端制造基地「IIM-1」成功试作 2 奈米(nm)Gate-All-Around(GAA)电晶体,并完成动作确认。这不仅是日本半导体产业的一大突破,也象征着其挑战全球晶圆先进制程领域迈出关键一步。记者会现场更首度展示实体试作晶片,吸引全球目光。

试作成功!Rapidus 展示 2nm 晶片 惊艳业界

Rapidus 于 7 月 18 日在北海道千岁市举行记者会,正式对外宣布 2nm GAA 电晶体成功试作并完成动作验证。这款晶片是该公司在 IIM-1 制造设施中制造出的首批成果,象征着日本在先进晶片制程领域的重要突破。

该公司社长兼 CEO 小池淳义表示:「这么快就完成 2nm GAA 电晶体,会让客户感到震撼,也将激起高度期待。」

记者会现场也公开了晶片实体,象征 Rapidus 从无到有完成开发,并具备一定制造成熟度。

三年从零到有 2nm 试作是「魂之晶片」

小池淳义以投影片形式介绍 Rapidus 的发展历程。该公司于 2022 年 8 月成立,初期员工仅 14 人,同年 12 月便与 IBM 签署战略合作协议,导入其 GAA 技术进行共同开发。

千岁市的 IIM-1 厂房于 2023 年 2 月宣布动工,9 月举行起工式。小池回忆:「从零开始,靠着施工团队与 Rapidus 员工的齐心协力,一点一滴打造出来。」

2024 年 12 月完成无尘室并引进制造设备,其中也包含日本首次导入的极紫外光(EUV)曝光机。到了 2025 年 4 月成功完成 EUV 曝光与显影,6 月 16 日将晶圆投入试产线,并于 7 月 10 日确认 2nm GAA 电晶体能正常运作。

小池称首批晶圆为「魂之晶片」,强调员工几乎不眠不休完成试作。他表示:「这是日本首度成功确认 2nm GAA 电晶体运作,意义重大。」虽未透露良率,但指出将朝 2027 年量产持续提升性能与制程稳定性。

客户反应热烈 迈入设计实作新阶段

除了记者会当天,Rapidus 也举办了客户参访活动,来自全球的潜在客户齐聚千岁,对试作晶片表现出高度兴趣。

小池透露:「客户终于看到实体晶片,这将加速他们的设计与产品开发进程。我们跨过了一个重要的里程碑。」

这次展示,不只是技术突破,也大幅提升 Rapidus 争取海外订单与合作的可能性。

千岁转型科技重镇 41 家企业已抢先进驻

记者会也邀请多位政府与地方领导人出席,包括 Rapidus 会长东哲郎、北海道知事铃木直道、千岁市长横田隆一,共同见证历史性时刻。

东哲郎指出:「全球对 Rapidus 的关注,不只是因为日本要从十几年的落后中追赶,而是惊讶于我们能以极快速度完成这些关键步骤。这是热情、技术与团队凝聚力的成果。」

知事铃木也盛赞:「一开始道民对先进半导体还不太熟悉,但如今大家都看见这项挑战的重要性与潜力。这是北海道半导体产业的历史新篇。」

千岁市长横田补充,因 Rapidus 的进驻,已带动 41 家半导体相关企业进驻千岁市,另有 80 多家正在评估加入。当地目前已有 10 栋饭店在规划兴建中,写字楼与住宅建案也接连出现,成为地方经济活化的推手。

Rapidus 接下来的目标是于 2027 年实现前段制程量产,并在 2027 年底至 2028 年上半年推动后段制程量产。小池表示:「我们将逐步建立起完整的一贯制程体系,为客户提供更稳定与先进的供应能力。」

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