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富加鎵業4英寸VB法氧化鎵襯底性能達到國際先進水平
金十數據2月20日訊，記者從杭州光學精密機械研究所獲悉，杭州光機所孵育企業杭州富加鎵業在垂直布里奇曼（VB）法氧化鎵晶體生長領域取得重大突破，經測試單晶質量達到國際先進水平，現同步向市場推出晶體生長設備及工藝包。測試結果表明，使用富加鎵業設備生長出的4英寸VB晶體內無孿晶，單晶襯底XRD半高全寬（FWHM）優於50arcsec，與導模法制備的氧化鎵單晶襯底質量相當，性能達到國際先進水平。