マイクロンは次世代AIメモリにおいて大規模な推進を準備しており、リーダーシップはHBM4の生産拡大に大きくコミットしています。2025年12月の財務結果説明会で、CEOのサンジェイ・メフロトラは、同社が2026年第2四半期からHBM4の生産を劇的に拡大する計画を明らかにし、性能向上曲線は従来のHBM3E世代の立ち上がりを上回ると予測しています。数字は野心的なストーリーを語っています。マイクロンは2026年までに月間15,000ウェハのHBM4生産を目指しており、これは同社の総合的な月間HBM生産能力約55,000ウェハの約30％に相当します。この配分は、次世代AIメモリが進化する半導体市場において重要な成長軸であるとの経営陣の確信を示しています。長年、マイクロンは韓国の競合他社に比べてHBM市場シェアで遅れをとっており、生産規模の制約に縛られてきました。しかし、その競争上の不利は縮小しつつあります。同社はすでに設備投資を開始し、製造拠点全体で能力拡大を加速させています。これは単なる段階的な最適化ではなく、需要が供給を上回り続けるセグメントでシェアを獲得するための戦略的なリソース再配分です。サンジェイ・メフロトラの公のコミットメントは、市場の需要持続性とマイクロンの効率的な立ち上げ能力に対する内部の自信を示しています。新しいプロセスノードの採用において、従来は歩留まりの改善が課題でしたが、HBM3Eよりも早い歩留まり向上は、この能力投資の収益化までの時間を大幅に短縮します。業界の観測者は、実行力が野心に見合うかどうかを注視しており、ここでの早期成功は今後数年間のプレミアムAIメモリにおける競争力のダイナミクスを再形成する可能性があります。
サンジェイ・メフロトラが主要なHBM4の増産を示唆：マイクロンは2026年までに月間15,000ウェーハを目標に
マイクロンは次世代AIメモリにおいて大規模な推進を準備しており、リーダーシップはHBM4の生産拡大に大きくコミットしています。2025年12月の財務結果説明会で、CEOのサンジェイ・メフロトラは、同社が2026年第2四半期からHBM4の生産を劇的に拡大する計画を明らかにし、性能向上曲線は従来のHBM3E世代の立ち上がりを上回ると予測しています。
数字は野心的なストーリーを語っています。マイクロンは2026年までに月間15,000ウェハのHBM4生産を目指しており、これは同社の総合的な月間HBM生産能力約55,000ウェハの約30％に相当します。この配分は、次世代AIメモリが進化する半導体市場において重要な成長軸であるとの経営陣の確信を示しています。
長年、マイクロンは韓国の競合他社に比べてHBM市場シェアで遅れをとっており、生産規模の制約に縛られてきました。しかし、その競争上の不利は縮小しつつあります。同社はすでに設備投資を開始し、製造拠点全体で能力拡大を加速させています。これは単なる段階的な最適化ではなく、需要が供給を上回り続けるセグメントでシェアを獲得するための戦略的なリソース再配分です。
サンジェイ・メフロトラの公のコミットメントは、市場の需要持続性とマイクロンの効率的な立ち上げ能力に対する内部の自信を示しています。新しいプロセスノードの採用において、従来は歩留まりの改善が課題でしたが、HBM3Eよりも早い歩留まり向上は、この能力投資の収益化までの時間を大幅に短縮します。業界の観測者は、実行力が野心に見合うかどうかを注視しており、ここでの早期成功は今後数年間のプレミアムAIメモリにおける競争力のダイナミクスを再形成する可能性があります。